Khả năng lặp lại tốt Máy phủ chân không vô hại

Trong quy trình sản xuất chất bán dẫn (chip/mạch tích hợp), quang khắc là một bước quan trọng trong việc chuyển mẫu mạch tích hợp. Chất lượng của lớp phủ quang điện ảnh hưởng trực tiếp đến chất lượng của quang khắc, khiến quá trình phủ trở nên đặc biệt quan trọng. Hầu hết các chất quang dẫn được sử dụng trong quang khắc đều kỵ nước, trong khi các nhóm hydroxyl và các phân tử nước còn sót lại trên bề mặt tấm silicon là ưa nước. Điều này dẫn đến độ bám dính kém giữa chất quang dẫn và tấm bán dẫn silicon, đặc biệt với chất quang dẫn dương. Trong quá trình phát triển, giải pháp của nhà phát triển có thể xâm nhập vào giao diện giữa chất quang dẫn và tấm bán dẫn silicon, dễ gây ra các hiện tượng như bong tróc và nổi của chất quang dẫn, dẫn đến thất bại trong việc chuyển mẫu quang khắc. Đồng thời, khắc ướt dễ bị ăn mòn bên.  Sau khi xử lý trước bằng hệ thống tiền xử lý HMDS, hợp chất gốc siloxane được phủ lên bề mặt nền. Bề mặt wafer thay đổi từ ưa nước sang kỵ nước, làm giảm góc tiếp xúc, giảm lượng chất cản quang cần thiết và tăng cường độ bám dính cho chất cản quang. Điều này ngăn chặn sự ăn mòn bên và sự trôi mẫu trong quá trình phát triển, cải thiện độ bám dính của chất quang dẫn và tăng cường khả năng chống ăn mòn của vật liệu trong môi trường khắc nghiệt, từ đó cải thiện đáng kể chất lượng sản phẩm và giảm tỷ lệ lỗi.

Mục tiêu quy trình:
Thiết bị hoạt động hoàn toàn tự động thông qua điều khiển PLC.  Quá trình này bao gồm nung bề mặt ở nhiệt độ cao để loại bỏ độ ẩm bề mặt, kết hợp với công nghệ sấy chân không và bảo vệ nitơ để loại bỏ độ ẩm và chất gây ô nhiễm khỏi bề mặt wafer, ngăn chặn quá trình oxy hóa và khuếch tán tạp chất, đồng thời đảm bảo độ sạch trước khi phủ. Khí HMDS (hexamethyldisilazane C6H19NSi2) sau đó được đưa vào. Dưới nhiệt độ cao, bề mặt chất nền và HMDS phản ứng hoàn toàn, tạo thành hợp chất chủ yếu bao gồm siloxan. Điều này làm thay đổi bề mặt chất nền từ ưa nước sang kỵ nước, cho phép nhóm kỵ nước liên kết tốt với chất quang dẫn, hoạt động như một tác nhân liên kết.

Quy trình xử lý:
Đầu tiên, bơm chân không được bật để bắt đầu hút bụi. Khi mức chân không trong buồng đạt đến giá trị cài đặt (giá trị này có thể được đặt bằng cách thay đổi giá trị P2 trên máy đo chân không, xem hướng dẫn sử dụng máy đo chân không), nitơ sẽ được đưa vào. Sau khi đạt đến mức chân không đã đặt (giá trị này có thể được đặt bằng cách thay đổi giá trị P1 trên máy đo chân không), quá trình hút chân không và nạp nitơ được lặp lại. Sau khi đạt đến số lần nạp nitơ đã đặt, quá trình hút bụi lại bắt đầu, sau đó là đưa dung dịch hóa học vào. Sau thời gian đã đặt, việc đưa dung dịch hóa học dừng lại và giai đoạn giữ bắt đầu. Sau thời gian lưu đã đặt, quá trình hút bụi và nạp nitơ lại bắt đầu theo số chu kỳ đã đặt. Sau khi hệ thống tự động hoàn tất quy trình, một cảnh báo bằng âm thanh và hình ảnh sẽ được đưa ra, cho biết các tấm bán dẫn đã sẵn sàng để tháo ra.